Оборудование отдела 140

Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N

• МОГФ;
• МЛЭ.

Диагностика и исследование гетероструктур

• рентгеноструктурный анализ;
• аналитические (ОЖЭ, ВИМС);
• зондовая микроскопия (СТМ, АСМ);
• электрофизические исследования микроструктур (I-V, C-V, ECP, Холл, НСГУ);
• фотоэлектрические исследовани.

Микро- и наноэлектроника

• напыление (металлы, диэлектрики, сверхпроводники);
• литография (фото-, электронная, зондовая);
• травление (жидкофазное, ионное, плазмохимическое);
• микроволновые приборы на основе полупроводников и сверхпроводников.